[发明专利]半导体元件及其制作方法与图像感测元件有效
申请号: | 201110054069.9 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102446930A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 周世培;刘世昌;杜友伦;蔡嘉雄 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;刘文意 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体元件及其制作方法与图像感测元件。图像感测元件包括:一像素,位于一基板中;一第一微透镜,内埋于位于基板上的一膜层中,第一微透镜的一第一上表面具有一角状的顶端;一彩色滤光片,位于膜层上;以及一第二微透镜,位于彩色滤光片上,第二微透镜的一第二上表面具有一接近圆形的轮廓;其中像素、第一微透镜、彩色滤光片、以及第二微透镜皆至少部分彼此对齐。本发明的半导体元件的制作工艺相当快速且便宜,而且光聚焦性能较佳。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 及其 制作方法 图像 | ||
【主权项】:
一种半导体元件,包括:一辐射感测单元,形成于一基板中;一透明膜层,形成于该基板上;以及一微透镜,内埋于该透明膜层中,其中该微透镜具有一尖顶端部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的