[发明专利]锗硅BiCMOS工艺中的可变电容及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的可变电容，包括：N阱和P型多晶硅层。N阱形成于有源区中并和浅槽场氧底部的赝埋层相连并通过一深孔接触引出。多晶硅层形成于N阱上方并和N阱形成接触并形成一单边突变结，由所述单边突变结组成可变电容。本发明还公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的可变电容的制造方法。本发明能改善可变电容的电压系数、提高可变电容的性能并能满足射频产品对可变电容的性能要求，能和锗硅BiCMOS工艺兼容并降低成本。

主权项

一种锗硅BiCMOS工艺中的可变电容，其特征在于，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，可变电容包括：一N阱，形成于所述有源区中，所述N阱的深度大于所述浅槽场氧底部的深度；在所述浅槽场氧的底部形成有一N型赝埋层，所述赝埋层和所述N阱形成接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有和所述赝埋层相接触的深孔接触，所述深孔接触为所述N阱的引出电极；一P型多晶硅层，形成于所述有源区表面并横向延伸到所述有源区周侧的所述浅槽场氧的上方，所述多晶硅层的掺杂浓度大于所述N阱的掺杂浓度，所述多晶硅层和所述N阱相接触并形成一单边突变结，由所述单边突变结组成可变电容；在所述多晶硅层上形成有金属接触，所述金属接触为所述多晶硅层的引出电极。