[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110049238.X 申请日: 2011-03-01
公开(公告)号: CN102194771A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 成濑俊道;高田秀夫 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/18;H01L23/495;H01L21/60;H01L21/56;G11B7/135
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法。在进行光的发光或受光的以往的半导体装置中,利用没有填料的透明的树脂进行密封,由于热膨胀系数α的不一致而导致可靠性欠缺。通过在半导体芯片的表面上、特别是在受光或进行发光的区域内设置透射元件,利用混入有填料的绝缘树脂密封其他部位。因此使密封树脂的热膨胀系数接近Si的热膨胀系数α(Si)。若支承基板中混入有玻璃纤维、玻璃填料,则支承基板的热膨胀系数也接近Si的热膨胀系数,从而抑制发生弯曲。另外,若在表面上设置保护膜,准备与模具的内壁抵接的透射元件,则该保护膜能够防止透射元件的划伤,而且,设置为利用该保护膜围绕光的通过区域,因此防止上述密封树脂进入该区域内。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其中,该半导体装置至少具有:支承基板,在该支承基板的表面上具有用于设置元件的安装区域、设在上述安装区域的周围的内部电极,在该支承基板的背面设有外部电极;半导体芯片,其设在上述安装区域内,用于受光或进行发光;连接元件,其用于将设在上述半导体芯片上的焊盘与上述内部电极连接起来;透射元件,其设在上述半导体芯片的表面上,由透射光的材料构成且具有一定的厚度;保护膜,其以围绕上述受光或发光的光的通过区域的方式设在上述透射元件的表面上;绝缘树脂,其混入有填料,该绝缘树脂覆盖上述支承基板的表面、上述半导体芯片、上述连接元件、上述透射元件的侧面及上述保护膜的外侧侧面,并使上述保护膜的表面和由上述保护膜围绕的通过区域暴露。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社,未经三洋电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110049238.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top