[发明专利]导电膜形成用组成物、太阳能电池用复合膜及其形成方法无效

专利信息
申请号: 201110048692.3 申请日: 2011-02-25
公开(公告)号: CN102201274A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 山崎和彦;米泽岳洋;林年治;白石真也 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: H01B1/08 分类号: H01B1/08;H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/04
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 陈万青;王珍仙
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种太阳能电池用复合膜的形成方法及复合膜以及透明导电膜形成用组成物,其可通过降低光电转换层与透明导电膜之间及透明导电膜与导电性反射膜之间的接触电阻,并降低发电时太阳能电池中的串联电阻来提高太阳能电池的转换效率。本发明的特征在于,导电性氧化物微粒是以In以及Sn或Zn为构成元素的Sn或Zn掺杂的氧化铟,或者是以Zn以及In、Sn、Al、Ga或Ge为构成元素的In、Sn、Al、Ga或Ge掺杂的氧化锌,或者是以Sn以及In、Ga、Al或Sb为构成元素的In、Ga、Al或Sb掺杂的氧化锡,导电性氧化物微粒进一步包含与构成元素不同种类的添加元素,相对于导电性氧化物微粒中的构成元素及添加元素的总计100摩尔%,添加元素的含有比例为0.01~20摩尔%。
搜索关键词: 导电 形成 组成 太阳能电池 复合 及其 方法
【主权项】:
一种透明导电膜形成用组成物,用于形成由透明导电膜和导电性反射膜构成的太阳能电池用复合膜的所述透明导电膜,其特征在于,所述透明导电膜形成用组成物包含导电性氧化物微粒和粘合剂成分双方,所述导电性氧化物微粒是以In以及Sn或Zn为构成元素的Sn或Zn掺杂的氧化铟,或者是以Zn以及In、Sn、Al、Ga或Ge为构成元素的In、Sn、Al、Ga或Ge掺杂的氧化锌,或者是以Sn以及In、Ga、Al或Sb为构成元素的In、Ga、Al或Sb掺杂的氧化锡,所述导电性氧化物微粒进一步包含与所述构成元素不同种类的添加元素,相对于导电性氧化物微粒中的所述构成元素和所述添加元素的总计100摩尔%,所述添加元素的含有比例为0.01~20摩尔%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱综合材料株式会社,未经三菱综合材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110048692.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top