[发明专利]一种均匀浅发射极太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201110048148.9 | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102157585A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 沈辉;冯成坤 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种均匀浅发射极太阳电池的制备方法，该制备方法是首先对制绒后的硅片进行重扩散形成p-n结，然后去除非受光面的p-n结或者去除硅片边缘的p-n结，清洗去除硅片表面的氧化层，接着对硅片受光面进行浸润处理增强表面亲水性，再对受光面发射极进行全范围均匀腐蚀形成全范围浅发射极，并对发射极进行表面疏水性处理，然后在硅片受光面沉积功能介质薄膜，最后进行正负电极和背面场制备并烧结形成均匀浅发射极太阳电池。采用本发明方法制备的太阳电池具有制备成本低，转换效率高并适合工业化大规模生产的优点，具有很好的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 发射极 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种均匀浅发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，首先对制绒后的硅片进行重扩散形成p‑n结，然后去除非受光面的p‑n结或者去除硅片边缘的p‑n结，清洗去除硅片表面的氧化层，接着对硅片受光面进行浸润处理增强表面亲水性，再对受光面发射极进行全范围均匀腐蚀形成全范围浅发射极，并对发射极进行表面疏水性处理，然后在硅片受光面沉积功能介质薄膜，最后进行正负电极和背面场制备并烧结形成均匀浅发射极太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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