[发明专利]太阳能电池

摘要

本发明公开一种太阳能电池，其包括半导体基底、掺杂层、量子阱层、第一钝化层、第二钝化层、第一电极以及第二电极。半导体基底具有前表面以及后表面，且半导体基底的前表面为纳米柱。掺杂层覆盖在纳米柱的表面。电极层覆盖掺杂层。量子阱层位于半导体基底上，量子阱层具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区，其中量子阱层包括多晶硅化锗(Si1-xGex)。第一钝化层覆盖量子阱层的第一掺杂区。第二钝化层覆盖量子阱层的第二掺杂区。第一电极以及第二电极分别与量子阱层的第一掺杂区以及第二掺杂区电性连接。

主权项

一种太阳能电池，包括：半导体基底，其具有前表面以及后表面，其中该半导体基底的该前表面具有多个纳米柱；掺杂层，覆盖在该多个纳米柱的表面；量子阱层，位于该半导体基底上，该量子阱层具有至少一第一掺杂区以及至少一第二掺杂区，其中该量子阱层包括第一多晶硅化锗Si1‑xGex；第一钝化层，覆盖该量子阱层的该第一掺杂区；第二钝化层，覆盖该量子阱层的该第二掺杂区；以及至少一第一电极以及至少一第二电极，分别与该量子阱层的该第一掺杂区以及该第二掺杂区电性连接。