[发明专利]一种多层透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用无效
| 申请号： | 201110044745.4 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102134699A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种多层透明导电薄膜的制备方法及其制备的薄膜和应用，其方法包括如下步骤：将SiO2粉体和ZnO粉体混合，烧结作为SZO靶材，SiO2粉体与ZnO粉体的质量比为2/199～1/6；提供Ag靶材；将所述SZO靶材和所述Ag靶材装入磁控溅射腔体内，依次在衬底上溅射第一SZO层、Ag层和第二SZO层，得到三文治结构的SZO-Ag-SZO透明导电薄膜。本发明还提供采用此方法获得的多层透明导电薄膜及其在半导体光电器件中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 透明 导电 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将SiO2粉体和ZnO粉体混合，烧结作为SZO靶材，所述SiO2粉体与所述ZnO粉体的质量比为2/199～1/6；提供Ag靶材；将所述SZO靶材和所述Ag靶材装入磁控溅射腔体内，依次在衬底上溅射第一SZO层、Ag层和第二SZO层，得到三文治结构的SZO‑Ag‑SZO透明导电薄膜。
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