[发明专利]交流二线式开关有效

专利信息
申请号: 201110043180.8 申请日: 2011-02-22
公开(公告)号: CN102195629A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 桥诘真吾;井腰文智;山际优人;上本康裕;柳原学 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H03K17/72 分类号: H03K17/72;H01L29/778;H01L29/423
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够抑制在内部所具有的双向开关元件的散热的交流二线式开关。交流二线式开关(100a)连接于交流电源(101)与负载(102)之间而被使用,包括:双向开关元件(103),由III氮化物半导体构成,除具有使电流双向流动的构成以外,还使该电流的流动导通或断开,并且与交流电源及负载串联连接,且与交流电源及负载构成闭合电路;全波整流器(104),对交流电源的电源进行全波整流;电源电路(105),将全波整流后的电压平滑化后,提供直流电源;第一栅极驱动电路(107)及第二栅极驱动电路(108),将控制信号输出到双向开关元件;以及控制电路(106),对第一栅极驱动电路及第二栅极驱动电路进行控制。
搜索关键词: 交流 二线 开关
【主权项】:
一种交流二线式开关,被连接并被利用于交流电源与负载之间,该交流二线式开关具有双向开关元件,该双向开关元件除具有使电流双向流动的构成以外,还使该电流的流动导通或断开,并且,该双向开关元件与所述交流电源以及所述负载串联连接,且与所述交流电源以及所述负载构成闭合电路,所述双向开关元件包括:衬底;半导体层叠体,被形成在所述衬底,并且由III族氮化物半导体构成;第一欧姆电极以及第二欧姆电极,所述第一欧姆电极被形成在所述半导体层叠体,并且与所述交流电源以及所述负载中的一方电连接,所述第二欧姆电极被形成在所述半导体层叠体,并且与所述交流电源以及所述负载中的另一方电连接;以及第一栅极电极以及第二栅极电极,被形成在位于所述半导体层叠体上的所述第一欧姆电极与所述第二欧姆电极之间,并且是从所述第一欧姆电极一侧开始按顺序而被形成的;所述交流二线式开关还包括:全波整流器,被连接在所述第一欧姆电极与所述第二欧姆电极之间,对所述交流电源进行全波整流;电源电路,将从所述全波整流器输出的被全波整流后的电压平滑化后,提供直流电源;驱动电路,在接受从所述电源电路提供的直流电源的同时,还向所述第一栅极电极以及所述第二栅极电极输出控制信号;以及控制电路,在接受从所述电源电路提供的直流电源的同时,在由所述交流电源将电力提供到所述负载的情况下,控制所述驱动电路,以使所述驱动电路通过向所述第一栅极电极以及所述第二栅极电极,输出具有比所述第一栅极电极以及所述第二栅极电极的阈值电压高的电压的控制信号,从而使所述双向开关元件成为导通状态。
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