[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201110042266.9 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN102169935A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 孙孝根 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/14 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 夏凯;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种发光器件。在一个实施例中,发光器件包括:发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层;和在有源层和第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层。第一导电类型半导体层包括多个沟槽。沿着沟槽形成有源层。与第二导电类型半导体层相邻的抗电流泄漏层的表面是平坦的。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层;和在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间的抗电流泄漏层,其中所述第一导电类型半导体层包括多个沟槽,其中所述有源层沿着所述沟槽形成,并且其中与所述第二导电类型半导体层相邻的所述抗电流泄漏层的表面是平坦的。
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