[发明专利]气敏场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110039500.2 | 申请日： | 2011-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102192940A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | A·克劳斯;M·勒-胡 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹若;梁冰 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及气敏场效应晶体管及其制造方法。该晶体管包括有具有基质主表面的半导体基质。场效应晶体管此外还包括有绝缘层，它具有指向基质主表面的第一主表面，和背离基质主表面的第二主表面，其中绝缘层至少局部地盖住了基质主表面并且在栅极区部位里具有开孔或者层厚变小的部位(135)，这里具有倾斜侧壁(137)，而且其中在第二主表面里的开孔(135)的面大于在第一主表面里的开孔(135)的面。场效应晶体管(100)包括有栅极层(155)，它至少盖住绝缘层(110)的第一主表面的局部，开孔(135)倾斜侧壁(137)的部位以及栅极区(140)的部位，其中栅极层(155)包括有材料或者结构，它们在与预先规定的气体接触时，使栅极层(155)的电性能发生变化。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
气敏场效应晶体管(100)，它具有以下特征：‑‑‑具有基质主表面的半导体基质(138)，其中半导体基质(138)具有源极区(240)，栅极区(140)和漏极区(310)；‑‑‑绝缘层(110)，它具有朝向基质主表面的第一主表面，和背离基质主表面的第二主表面，其中绝缘层(110)至少局部地盖住了基质主表面，并且在栅极区(140)部位里具有开孔(135)或者层厚变小的绝缘层部位，其中绝缘层(110)在开孔(135)的部位或者在绝缘层部位(135)中具有倾斜的侧壁(137)，从而在绝缘层(110)的在开孔(135)的部位里或者绝缘层部位(135)里相互对置的倾斜侧壁(137)之间的距离，从第二主表面向着第一主表面方向上变小；和‑‑‑栅极层(155)，它至少盖住绝缘层(110)的第一主表面的局部，倾斜侧壁(137)的一个部位以及栅极区(140)的一个部位，其中栅极层(155)包括有材料或者结构，它们在与预先规定的气体接触时，使栅极层或者其表面的电性能发生变化。
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