[发明专利]氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法

摘要

用于包括硅器件层和氮化镓(GaN)器件层的半导体器件的结构和方法。在实施方案中，硅器件层和GaN器件层具有彼此共平面的上表面。在另一实施方案中，GaN器件层并不直接位于硅器件层下面，和硅器件层并不直接位于GaN器件层下面。半导体器件还可包括在硅器件层上和/或内形成的硅基半导体器件，和在GaN器件层上和/或内形成的氮化物基半导体器件。GaN器件层可包括多个层，所述多个层可形成为共形遮盖层和然后平坦化，或者可选择性地形成然后平坦化。

主权项

一种集成半导体器件，包括：衬底；覆盖所述衬底并且具有有源表面的硅器件层；覆盖所述衬底并且具有有源表面的氮化镓器件层；其中所述硅器件层的所述有源表面和所述氮化镓器件层的所述有源表面基本上共平面；至少一个硅基半导体器件在所述硅器件层的所述有源表面上和/或内；以及至少一个氮化物基半导体器件在所述氮化镓器件层的所述有源表面上和/或内。