[发明专利]存储器制备方法

摘要

一种存储器制备方法，属于半导体技术领域，先后在半导体衬底上完成存储器字线、存储位单元的控制栅及浮栅的制备，并分步完成对第二耦合传导层的刻蚀，在不损伤和影响存储器结构的情况下，完成衬底上其他半导体器件引出电极的制备。该方法中，共享字线的存储器使得分栅式闪存其能够在保持芯片的电学隔离性能不变的情况下，有效地缩小芯片面积，同时也可以避免过擦除的问题。此外，本发明提供的存储器制备方法中，存储器阵列字线与衬底上其他半导体器件的引出电极同步完成，不增加任何工艺步骤和工艺难度，制备过程中不会对存储器等半导体结构造成损伤和影响。

主权项

一种存储器制备方法，步骤包括：(1)提供一半导体衬底，其上具有有源器件区；(2)在所述半导体衬底上依次形成第一介质层、第一传导层、第二介质层、第二传导层以及第一刻蚀阻挡层；(3)在所述有源器件区内的第一刻蚀阻挡层上开窗口并去除覆盖半导体衬底上有源器件区外部分表面的第一刻蚀阻挡层，并在上述刻蚀侧壁形成第一隔离介质层；(4)以所述第一刻蚀阻挡层及第一隔离介质层作掩膜，刻蚀至暴露出所述半导体衬底表面，得到位于半导体结构表面的第一沟槽；(5)在步骤(4)得到的结构表面依次沉积第三传导层、第二刻蚀阻挡层和第三刻蚀阻挡层；(6)依次去除覆盖有源器件区表面的第三刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，并平坦化至暴露出所述第一刻蚀阻挡层表面；(7)在所述第一沟槽内填充的第三传导层表面覆盖第四刻蚀阻挡层，并以此为掩膜，去除覆盖结构表面的第一刻蚀阻挡层和第三刻蚀阻挡层；(8)以所述第四刻蚀阻挡层为掩膜，在所述半导体衬底上的有源器件区域进行刻蚀至暴露出所述半导体衬底表面；(9)光刻构图去除所述有源器件区外多余的第二传导层和第三隔离介质层，形成与外电源连接的电极。