[发明专利]磁场传感器

摘要

MR传感器装置与IC集成。对IC装置(例如CMOS)的金属层进行图案化以限定至少第一和第二接触区。将金属连接插头设置在第一和第二接触区域下面，用于实现与集成电路端子的接触。磁阻材料层位于所述金属层上面并且通过电介质层而分离。第二金属连接插头从金属层向上延伸至MR传感器层。因此，传感器层形成于IC结构层的顶部上。

主权项

一种磁阻MR传感器装置，包括在相同半导体晶片上形成的MR传感器和集成电路，其中所述装置包括：金属层(64)，所述金属层被图案化，以限定至少第一和第二接触区(64a，64b)；第一金属连接插头(62)，从所述金属层的第一和第二接触区(64a，64b)向下延伸，用于实现与集成电路的端子的接触；磁阻材料层(70)，位于所述金属层上面并且通过电介质层被分离，所述磁阻材料层限定了包括至少一个MR元件(73)的MR元件装置；第二金属连接插头(66)，从所述金属层的第一和第二接触区(64a，64b)向上延伸至所述MR元件装置的末端。