[发明专利]太空纳米级工艺长寿命高温电容的生产方法及装置无效

专利信息
申请号: 201110034502.2 申请日: 2011-02-02
公开(公告)号: CN102629517A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 李崇新 申请(专利权)人: 李崇新
主分类号: H01G4/30 分类号: H01G4/30;H01G4/08;H01G13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 543000 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 一种太空真空工艺多层叠片电容生产方法其特征主要是在太空真空环境下堆叠成多层片状电容,解决了现行解决了现行堆叠烧结工艺存在的陶瓷介质空洞裂纹和分层的问题,以及目前市场上NPO材质电容绝缘材质用到价贵稀土材料,存在成本高,配制工艺复杂成本高的问题;同时也解决了金属化电容的电老化与热老化等的问题;本发明的电容能在300多度高温下工作的长寿命电容,是一种军用级电容的生产方法和技术,体积比现行的叠层陶瓷电容缩小五倍左右;太空纳米级工艺电容可代规现行的叠层陶瓷电容钽电容以及金属化薄膜电容意义,本发明的电容生产方法是一种全新的革命性的电容生产方法。
搜索关键词: 太空 纳米 工艺 寿命 高温 电容 生产 方法 装置
【主权项】:
一种太空真工艺多层叠片电容生产方法其特征是在一绝缘基片上用真空镀膜技术交替多次循环分别镀上电容金属膜层和电容绝缘介质膜层的电容生产方法;可根据不同材质选用磁控溅射真空镀膜或射频等离子体镀膜或电子束蒸发镀膜甚至电阻加热等镀膜的镀膜方式,本发明的绝缘基片一般使用相同于所做电容的绝缘介质材料。
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