[发明专利]预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法有效
| 申请号： | 201110034129.0 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102122939A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 杨增涛;马晋毅;欧黎;冷俊林;杨正兵;赵建华;陈运祥;周勇;陈小兵;傅金桥;张龙;张涛;曹亮 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H03H9/54 | 分类号： | H03H9/54;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法，涉及微电子器件领域，滤波器由制作于预设空腔SOI基片上的多个薄膜体声波谐振器单元电学级联构成，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，SOI基片的衬底硅上表面设置沟槽，带沟槽的衬底硅与顶层硅形成封闭的空腔；顶层硅通过键合工艺由另一片无沟槽SOI基片转移而来，厚度均匀可控；滤波器级联方式包括平衡桥型、阶梯型和网格型；滤波器频率可调，通过控制空腔上方顶层硅的刻蚀时间控制厚度来调整滤波器的频率；谐振器电极近似椭圆形，有利于增强能陷行为；滤波器可组成双工器和多工器；本发明综合了SOI材料的优点，无需牺牲层相关工艺，工艺简单，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 预设 空腔 soi 薄膜 声波 滤波器 制作方法 | ||
【主权项】：
预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器，其特征在于：包括通过电学级联方式联接的多个薄膜体声波谐振器，各个薄膜体声波谐振器包括预设空腔型(8)的SOI基片(13)和设置在SOI基片(13)上的换能器，所述换能器包括底电极(9)、顶电极(11)和设置在底电极(9)与顶电极(11)之间的压电薄膜(10)，所述底电极(9)与SOI基片(13)相结合，所述底电极(9)、顶电极(11)和压电薄膜(10)的叠加区域与预设空腔(8)相对。
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