[发明专利]光刻工艺中自动批量建立层间误差测量程式的方法有效
| 申请号： | 201110032430.8 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102109772A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 岳力挽;陆向宇;陈骆 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，包括步骤：1)制作光刻信息文档；2)把光刻信息转换成程式参数文件；3)建立通用的量测程式的模板；4)把所述程式参数导入量测机台的数据库，在数据库中，根据所述量测程式的模板和程式参数生成各个产品对应的量测程式，最终导入量测机台对相应产品进行量测；根据上述生成的文件和模板，量测机台可以自动将其整合成光刻层间误差的量测程式。与现有技术相比，本发明通过制作光刻信息文档，量测模板以及所编写的计算机程序，利用计算机可以自动批量生成量测程式，无需硅晶圆，无需手动操作，可以降低制成时间，提高效率，减少人为操作失误。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 自动 批量 建立 误差 测量 程式 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻工艺中的光刻层间误差的量测方法，其特征是包括步骤：1)制作光刻信息文档；2)把光刻信息转换成程式参数文件；3)建立通用的量测程式的模板，包括3.1)对产品设计通用的基准图案；先在光掩模板设计图中固定位置画一个基准图案，作为量测机台对准识别用的标记；再把所述基准图案及其在曝光域的坐标导入量测机台的数据库中；3.2)对产品量测设定通用的环境参数；4)把所述程式参数导入量测机台的数据库，在数据库中，根据所述量测程式的模板和程式参数生成各个产品对应的量测程式，最终导入量测机台对相应产品进行量测；根据上述生成的文件和模板，量测机台自动将其整合成光刻层间误差的量测程式。
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