[发明专利]一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法及设备有效
| 申请号： | 201110031566.7 | 申请日： | 2011-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102120578A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;姜大川;邹瑞洵 | 申请（专利权）人： | 大连隆田科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 于忠晶 |
| 地址： | 116025 辽宁省大连*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法，先通过电子束在低磷、低金属的高纯硅锭的顶部形成稳定熔池，后将需提纯的硅粉落入熔池熔炼，实现粉体的快速熔化去除硅粉中的挥发性杂质磷，同时进行定向拉锭使低磷多晶硅进行定向凝固生长，通过分凝效应去除多晶硅中金属杂质。本发明的显著效果是同时采取电子束熔炼粉体硅料和定向凝固的方式，用电子束快速去除杂质磷，用定向凝固将分凝系数较小的金属杂质去除，有效提高了多晶硅的纯度，达到了太阳能级硅的使用要求。本发明提纯效果好，技术稳定，工艺简单，生产效率高，节约能源，成本低，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 金属 耦合 提纯 多晶 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种电子束除磷、除金属的耦合提纯多晶硅的方法，其特征是：先通过电子束在低磷、低金属的高纯硅锭的顶部形成稳定熔池，后将需提纯的硅粉落入熔池熔炼，实现粉体的快速熔化去除硅粉中的挥发性杂质磷，同时进行定向拉锭使低磷多晶硅进行定向凝固生长，通过分凝效应去除多晶硅中金属杂质。
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