[发明专利]金属绕穿型背接触太阳电池、制备方法及其组件无效

专利信息
申请号: 201110031355.3 申请日: 2011-01-20
公开(公告)号: CN102610666A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 艾凡凡;王玉林;蔡昭;周杰;宋剑;杨健;陈如龙;张光春 申请(专利权)人: 无锡尚德太阳能电力有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李湘;高为
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种金属绕穿型(MWT)背接触太阳电池、制备方法及其组件,属于光伏技术领域。该MWT背接触太阳电池包括:设置在电池衬底的背面的第一导电类型区域和设置在所述电池衬底的正面的第二导电类型区域,副栅电极,通孔,主栅电极以及第二电极;其中,所述主栅电极与所述电池衬底的接触被设置为非欧姆接触,或者在所述主栅电极与所述电池衬底之间还设置绝缘层,以实现所述电池正负极的电性隔离。因此,该太阳电池制备方法简单、转换效率高、并且省去形成隔离槽的步骤,对应电池制备组件的碎片率低。
搜索关键词: 金属 绕穿型背 接触 太阳电池 制备 方法 及其 组件
【主权项】:
一种金属绕穿型背接触太阳电池,其包括:电池衬底,包括第一导电类型区域和第二导电类型区域,所述第二导电类型区域与第一导电类型区域分别位于所述电池衬底的正面和背面,所述第二导电类型区域与第一导电类型区域形成PN结;构图形成于所述第二导电类型区域之上并与所述第二导电类型区域电性连接的副栅电极;穿过所述电池衬底的通孔,所述通孔的内表面的导电类型为第一导电类型;基于所述通孔与所述副栅电极连接的、构图形成于所述第一导电类型区域之上的主栅电极;以及构图形成于所述第一导电类型区域之上并与所述第一导电类型区域电性连接的第二电极;其中,所述主栅电极与所述电池衬底的接触为非欧姆接触,或者所述主栅电极与所述电池衬底之间还设置有绝缘层。
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