[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201110030963.2 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102385931A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 金京泰 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;张文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件，包括：使能熔丝单元，被配置为在加电操作开始之后产生与使能熔丝的切断状态相对应的修复使能信号；以及地址熔丝单元，其响应于修复使能信号而被使能，且被配置为响应于外部地址以及地址熔丝是否被编程而产生输出信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：使能熔丝单元，所述使能熔丝单元被配置为在加电操作开始之后产生与使能熔丝的切断状态相对应的修复使能信号；以及地址熔丝单元，所述地址熔丝单元被配置为响应于所述修复使能信号而被使能，且响应于外部地址以及地址熔丝是否被编程而产生输出信号。
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