[发明专利]接合结构体及接合结构体的制造方法

摘要

本发明涉及接合结构体及接合结构体的制造方法。本发明非常希望实现功率半导体模块的高输出功率化，需要进一步提高接合部的耐热性，使得即使温度上升，用于将半导体元件与电极接合的接合部也不会熔融。本发明是一种接合结构体(1100)的制造方法，该方法是由半导体元件(1110)通过接合部(1130)与电极(1120)接合而成的接合结构体(1100)的制造方法，其特征在于，包括：焊锡球载放工序，该焊锡球载放工序中，将用Ni镀层(1231)覆盖Bi球(1232)的表面而成的焊锡球(1230)载放于已加热至Bi的熔点以上的温度的电极(1120)上；接合材料形成工序，该接合材料形成工序中，将焊锡球(1230)按压于经加热的电极(1120)上，使Ni镀层(1231)破碎，使熔融状态的Bi在经加热的电极(1120)的表面扩散，形成含有由Bi和Ni组成的Bi系金属互化物(1131)的接合材料(1130’)；以及半导体元件载放工序，该半导体元件载放工序中，将半导体元件(1110)载放于接合材料(1130’)上。

主权项

一种接合结构体的制造方法，该方法是由半导体元件通过接合部与电极接合而成的接合结构体的制造方法，其特征在于，包括：焊锡球载放工序，该焊锡球载放工序中，将用Ni镀层覆盖Bi球的表面而成的焊锡球载放于已加热至Bi的熔点以上的温度的所述电极上；接合材料形成工序，该接合材料形成工序中，将所述焊锡球按压于经加热的所述电极上，使所述Ni镀层破碎，使熔融状态的Bi在经加热的所述电极的表面扩散，形成含有由Bi和Ni组成的Bi系金属互化物的接合材料；以及半导体元件载放工序，该半导体元件载放工序中，将所述半导体元件载放于所述接合材料上。