[发明专利]一种高含量氮化硅粉末的生产方法无效

专利信息
申请号: 201110025972.2 申请日: 2011-01-25
公开(公告)号: CN102173397A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 王会贤;崔航航;刘青兰;郭留洋;郭晶晶;陈彤;李苇娜;车翰卿;吕品品;马腾飞 申请(专利权)人: 巩义市宏泰氮化硅材料有限公司
主分类号: C01B21/068 分类号: C01B21/068
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 451200*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种氮化硅粉末的生产方法,尤其涉及一种Si3N4含量较高的生产新方法,属无机化学技术领域。该方法首先采用机械活化对原料粉体进行预处理,并在硅粉常压高温直接氮化时加入适量α-Si3N4作为稀释剂。通过控制稀释剂的添加比例、氮化时间和温度,合成高Si3N4含量的氮化硅粉。该工艺提高了固相反应剂活性,强化了Si和N2反应。不需要高温高压环境,操作简单,原料易得,产品纯度高、低成本、高效、环保安全、节能,是一条经济、高效、且可进行大规模生产的工艺。
搜索关键词: 一种 含量 氮化 粉末 生产 方法
【主权项】:
一种氮化硅粉末的生产方法,其特征在于,通过如下步骤实现:(1)首先通过机械活化方式预处理硅粉:研磨时加入硅粉重量90%的水、硅粉重量0.2%的聚甲基丙烯酸及硅粉重量3倍的氮化硅球磨介,配好磨料;(2)加入稀释剂α‑Si3N4粉体,将硅粉和稀释剂α‑Si3N4混合均匀;(3)氮气保护下干燥硅粉和稀释剂,常压下,通入氮气,置换出炉内空气;然后加热至1450℃~1550℃,缓慢转动燃炉,使硅粉与氮气充分反应;(4)冷却至室温后,放入嵌有聚四氟乙烯内衬的球磨罐或尼龙罐中研磨合成的Si3N4粉体;而后过筛滤除磨介,烘干后磨碎浆块再过筛。
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