[发明专利]发光二极管元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110025434.3 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102610731A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王琮淇;沈育浓 | 申请（专利权）人： | 王琮淇;沈育浓 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;蹇炜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管元件及其制造方法，所述发光二极管元件包含：一个发光二极管晶元，其具有一个包含P型电极区域与N型电极区域的半导体基体、至少两个配置在所述半导体基体的电极安装表面且分别与所述电极区域电气连接的电极、一个形成于所述电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层、一个形成于所述透光绝缘层的位于P型电极区域的透光绝缘层部分上的金属反射层、一个形成于所述金属反射层上且延伸到所述电极安装表面的保护绝缘层、具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层、及形成在所述导体形成孔内使得可与对应的电极电气连接的导体单元；及一个形成在所述发光二极管晶元的与所述电极安装表面相对的表面上的覆盖层，所述覆盖层延伸至所述发光二极管晶元的外侧表面而且由能够透光且掺杂有荧光粉的材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管元件，其特征在于包含：一个发光二极管晶元，其具有一个包含P型电极区域与N型电极区域的半导体基体、至少两个配置在所述半导体基体的电极安装表面且分别与所述电极区域电气连接的电极、一个形成于所述电极安装表面上且具有两个曝露对应的电极的穿孔的透光绝缘层、一个形成于所述透光绝缘层的位于P型电极区域的透光绝缘层部分上的金属反射层、一个形成于所述金属反射层上且延伸到所述电极安装表面的保护绝缘层、具有两个各通达对应的电极的导体形成孔的导体形成绝缘层、及形成在所述导体形成孔内使得可与对应的电极电气连接的导体单元；及一个形成在所述发光二极管晶元的与所述电极安装表面相对的表面上的覆盖层，所述覆盖层延伸至所述发光二极管晶元的外侧表面而且由能够透光且掺杂有荧光粉的材料形成。
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