[发明专利]纳米晶浮栅存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110022339.8 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102610653A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘明;金林;霍宗亮;刘璟;张满红;王琴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;G11C16/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米晶浮栅存储器包括硅衬底；所述硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区；所述源导电区与所述漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层；覆盖在所述隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层；覆盖在所述纳米晶电荷存储层上的采用双层材料顺次堆叠并能进行带隙调制的复合阻挡层；及覆盖在所述复合阻挡层上的用于控制栅介质层的栅电极。本发明还公开了一种制备纳米晶浮栅存储器的方法。本发明可提高了存储器件的存储特性和擦写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶浮栅 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米晶浮栅存储器，其特征在于，包括：硅衬底；所述硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区；所述源导电区与所述漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层；覆盖在所述隧穿介质层上的纳米晶电荷存储层；覆盖在所述纳米晶电荷存储层上的采用双层材料顺次堆叠并能进行带隙调制的复合阻挡层；及覆盖在所述复合阻挡层上的用于控制栅介质层的栅电极。
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