[发明专利]BSI图像传感器形成方法有效
| 申请号： | 201110021335.8 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102117819A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 杨瑞坤;王景 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/304;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种BSI图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与之相对的第二表面；在第一表面形成第一外延层，所述半导体衬底相对于所述第一外延层具有较高研磨选择比；在第一外延层表面形成第二外延层，所述第二外延层包括上表面和下表面，其中，上表面背离第一外延层，下表面朝向第一外延层；在第二外延层内形成光传感区，在第二外延层上表面依次形成像素区、互连层和钝化层；沿所述第二表面研磨所述半导体衬底，直至暴露第一外延层；去除第一外延层；在第二外延层下表面依次形成滤光片、微透镜。本发明提高了BSI图像传感器的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | bsi 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种BSI图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与之相对的第二表面；在第一表面形成第一外延层，所述半导体衬底相对于所述第一外延层具有较高的研磨选择比；在第一外延层表面形成第二外延层，所述第二外延层包括朝向第一外延层的下表面，和背离第一外延层的上表面；沿所述第二表面研磨所述半导体衬底，直至暴露第一外延层；去除第一外延层，暴露第二外延层的下表面；在第二外延层的下表面依次形成有滤光片和微透镜。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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