[发明专利]一种完全兼容标准CMOS工艺的低温度系数电流源无效

专利信息
申请号: 201110021157.9 申请日: 2011-01-19
公开(公告)号: CN102129264A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 成杨;廖泽鑫;赵喆;周锋 申请(专利权)人: 复旦大学;上海圣芮沃科技发展有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属集成电路技术领域,具体为一种完全兼容标准CMOS工艺的低温度系数电流源。它由四个NMOS管、两个PMOS管、一个补偿电阻和一个运算放大器组成。运算放大器的结构为传统的两级密勒补偿运算放大器,并自带偏置电路。高增益的运算放大器保证差分输入端的电压相同,其余的四个NMOS管、两个PMOS管和一个补偿电阻构成了温度补偿电流源的主体电路,利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现了一种温度系数低、面积小、完全与标准CMOS工艺兼容的新型温度补偿电流源。
搜索关键词: 一种 完全 兼容 标准 cmos 工艺 温度 系数 电流
【主权项】:
一种完全兼容标准CMOS工艺的低温度系数电流源,其特征在于由第四PMOS管(4)、第四PMOS管(5)、第一、第二、第三、第六NMOS管(1、2、3、6)、补偿电阻(7)、运算放大器(8)经电路连接构成;其中,运算放大器(8)具有很高的增益,以保证运算放大器的输入端所连接的节点电压相同,第四PMOS管(4)、第四PMOS管(5)、第一、第二、第三、第六NMOS管(1、2、3、6)、补偿电阻(7)组成电流源的主体电路,利用电阻、MOS管的迁移率和阈值电压的不同温度系数实现电流源的温度补偿;其中:第四PMOS管(4)、第四PMOS管(5)的源极接电源,栅极与运算放大器(8)的输出端(28)相连接,补偿电阻(7)的一端与第四PMOS管(4)的漏极相连,另一端与连接成二极管形式的第一NMOS管(1)的栅极相连,第一、第二、第三NMOS管(1、2、3)的源极均接地,第二NMOS管(2)的漏极与第五PMOS管(5)的漏极以及第六NMOS管(6)的栅极连接在一起,第六NMOS管(6)的漏极接电源,源极与连接成二极管形式的第三NMOS管(3)相连。
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