[发明专利]一种硅基长波红外光波导及其制备方法无效
| 申请号： | 201110020954.5 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102096149A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李国熠;魏玉欣;周强;杨建义;王明华;江晓清 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/13 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基长波红外光波导及其制备方法，本发明是在普通硅片上制备出波导结构，再通过热氧化法制备出二氧化硅掩膜，然后进行二次光刻，在波导的两侧开出窗口，KOH溶液进行湿法腐蚀，通过选择合适的浓度及温度实现不同晶面的刻蚀速率，通过侧向腐蚀达到开槽的目的。利用这种方式制备的长波红外下的光波导结构简单，工艺难度小，只需要普通硅片，不用价格昂贵的SOI片，亦无须自停止腐蚀工艺实现背向深刻蚀。针对不同的波长，可以通过对结构参数的优化，可以实现低的传输损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 长波 红外光 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基长波红外光波导，其特征在于，它是将衬底硅（4）上的波导（1）下端面两侧利用湿法腐蚀中硅的各向异性腐蚀掏空，形成两个空气槽（2），仅保留一个梯形支撑柱（3）。
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