[发明专利]制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法无效
| 申请号： | 201110009971.9 | 申请日： | 2011-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102169820A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 金兰;曲胜春;徐波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C25D11/12;C30B25/18;C30B33/02;C30B33/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法，包括如下步骤：步骤1：利用不同的电解液制备不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板；步骤2：在一GaAs晶片上外延500nm的GaAs平滑层，用于屏蔽GaAs晶片中的缺陷，形成原始衬底；步骤3：将具有不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板分别覆盖在原始衬底的平滑层上；步骤4：在室温下，将磁性离子Mn注入到平滑层内；步骤5：利用饱和的氢氧化钠溶液清洗掉阳极氧化铝模板；步骤6：退火，完成图形化衬底的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 不同 应力 密度 分布 gaas 图形 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制备不同应力密度分布的GaAs图形化衬底的方法，包括如下步骤：步骤1：利用不同的电解液制备不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板；步骤2：在一GaAs晶片上外延500nm的GaAs平滑层，用于屏蔽GaAs晶片中的缺陷，形成原始衬底；步骤3：将具有不同孔径和孔密度的阳极氧化铝模板分别覆盖在原始衬底的平滑层上；步骤4：在室温下，将磁性离子Mn注入到平滑层内；步骤5：利用饱和的氢氧化钠溶液清洗掉阳极氧化铝模板；步骤6：退火，完成图形化衬底的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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