[发明专利]偏置电场调制的氧化物半导体异质结构、其制备方法和装置有效
| 申请号： | 201110009450.3 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102593191A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 胡凤霞;王晶;陈岭;沈保根;孙继荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/96 | 分类号： | H01L29/96;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 刘丹妮 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种偏置电场调制的全氧化物半导体异质结构，该半导体异质结构由驰豫型铁电单晶(PMN-PT)基片以及在其上交替生长的空穴型(p型)钙钛矿锰氧化物薄膜和电子型(n型)钙钛矿氧化物薄膜构成。本发明还提供了该半导体异质结构的制备方法和装置。由于驰豫型铁电单晶具有显著的逆压电效应，因此，获得的新型功能的所述半导体异质结构具有显著的偏置电场可调特性。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 电场 调制 氧化物 半导体 结构 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种偏置电场调制的全氧化物半导体异质结构，其特征在于，所述的半导体异质结构包括：驰豫型铁电单晶基片和形成于该基片上的全氧化物异质结构。
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