[发明专利]锗硅异质结双极型晶体管的基区结构有效
| 申请号： | 201110006712.0 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412282A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈帆;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅异质结双极型晶体管的基区结构，包括发射区、基区和集电区；基区由一锗硅外延层组成，基区的第一侧和发射区接触、基区的第二侧和集电区接触。基区的锗分布结构为：在基区的第一侧和第二侧间包括一锗浓度峰值；从基区的第一侧到锗浓度峰值位置处之间，锗浓度逐渐增加，锗浓度的增加曲线包括多个逐渐减少的梯度。从基区的锗浓度峰值位置处到第二侧之间，锗浓度线性减少。本发明能在基区内形成持续的内建电场、并能提高基区的锗总体组分，从而能在增加器件电流增益的同时、提高基区的截止频率，改善器件的高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅异质结双极型 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种锗硅异质结双极型晶体管的基区结构，锗硅异质结双极型晶体管包括发射区、基区和集电区；所述基区由一锗硅外延层组成，所述基区的第一侧和所述发射区接触、所述基区的第二侧和所述集电区接触；其特征在于，所述基区的锗分布结构为：在所述基区的第一侧和第二侧间包括一锗浓度峰值；从所述基区的第一侧到所述锗浓度峰值位置处之间，锗浓度逐渐增加，所述锗浓度的增加曲线包括多个逐渐减少的梯度；从所述基区的所述锗浓度峰值位置处到第二侧之间，所述锗浓度线性减少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110006712.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种改善粉壳蛋鸡产蛋性能的饲料制备方法
- 下一篇：安全插头
- 同类专利
- 专利分类
