[发明专利]一种气体输送系统及应用该系统的半导体处理设备有效
申请号: | 201110004923.0 | 申请日: | 2011-01-11 |
公开(公告)号: | CN102586759A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 徐亚伟;宋巧丽;周卫国 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
地址: | 100015 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于半导体处理技术领域,具体提供一种气体输送系统,用于向半导体处理设备的工艺腔室输送工艺气体。其中,所述气体输送系统包括:进气口,其用于将工艺腔室外的工艺气体引入到所述气体输送系统;以及沿所述气体输送系统的长度方向而依次设置的多个出气口,其用于使气体输送系统中的工艺气体经此而输出到工艺腔室内并到达所述托盘所承载的各基片。此外,本发明还提供一种应用该气体输送系统的半导体处理设备。本发明提供的气体输送系统及应用该系统的半导体处理设备能够使工艺气体快速且均匀地到达各托盘所承载的基片,从而提高了被加工基片的处理速度和均匀性,进而提高生产效率及产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 气体 输送 系统 应用 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种气体输送系统,用于向半导体处理设备的工艺腔室输送工艺气体,在所述工艺腔室内设有托盘装置,所述托盘装置包括沿横向层叠设置的用于承载基片的多个托盘,其特征在于,所述气体输送系统包括:进气口,其用于将工艺腔室外的工艺气体引入到所述气体输送系统;以及沿所述气体输送系统的长度方向而依次设置的多个出气口,其用于使气体输送系统中的工艺气体经此而输出到工艺腔室内并到达所述托盘所承载的各基片。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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