[发明专利]一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110004740.9 | 申请日： | 2011-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102127751A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 全燮;赵阳;马传军;赵慧敏;陈硕;张耀斌 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/04;C23C16/44 |
| 代理公司： | 大连智慧专利事务所 21215 | 代理人： | 潘迅 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于微纳米材料技术领域，涉及一种硼掺杂金刚石微纳米材料及其制备方法。本发明的柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料是在硅基底上制备的，其特征在于：硅基底为采用光刻技术在硅上形成单个柱高为5～20μm、柱直径为1～10μm、柱间距为2～10μm的柱状阵列结构，在硅基底上先超声接种金刚石种子，再采用微波等离子体化学气相沉积法，形成厚度为0.5～2μm的硼掺杂金刚石膜，硼掺杂金刚石柱轴向相互平行，形成有序的柱状阵列结构，单个硼掺杂金刚石柱高度为5.5～22μm、直径为2～14μm、柱间距为0.4～8μm。本发明的硼掺杂金刚石微纳米材料比表面积大，可用于电化学检测等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柱状 阵列 结构 掺杂 金刚石 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料，是在硅基底上制备的，其特征在于：硅基底为采用光刻技术在硅上形成单个柱高为5～20μm、柱直径为1～10μm、柱间距为2～10μm的柱状阵列结构，硅柱的轴向相互平行；在硅基底上先超声接种金刚石种子，再以甲烷为碳源、硼烷为硼掺杂剂、采用微波等离子体化学气相沉积法形成厚度为0.5～2μm的硼掺杂金刚石膜，制成柱状阵列结构硼掺杂金刚石微纳米材料，单个硼掺杂金刚石柱高度为5.5～22μm、直径为2～14μm、柱间距为0.4～8μm，硼掺杂金刚石柱轴向相互平行，形成有序的柱状阵列结构。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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