[发明专利]SOI横向MOSFET器件和集成电路有效
| 申请号： | 201110003586.3 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102148251A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;姚国亮;雷天飞;王元刚;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/085 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王洪斌 |
| 地址： | 611731 中国四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SOI横向MOSFET器件和集成电路，所述器件中，有源层(3)包括分别位于有源层(3)的表面并且相互分离的体区(9)和漏区(12)、以及位于体区(9)的表面并且从靠近漏区(12)的一侧起按顺序设置的平面栅沟道区(14')、源区(11a)、体接触区(10)和源区(11b)；位于体区(9)和漏区(12)之间的有源层(3)为漂移区，漂移区和体区(9)的导电类型相反；有源层(3)在其表面以下设置有半导体埋层(4)，半导体埋层(4)和体区(9)的导电类型相同；所述器件具有槽栅结构(8)和平面栅结构(8')，槽栅结构(8)与体区(9)接触，并且从有源层(3)的表面纵向延伸至介质埋层(2)，平面栅结构(8')形成于体区(9)的上方。本发明的器件耐压高、比导通电阻低、功耗低、成本低、易小型化而且便于集成。 | ||
| 搜索关键词： | soi 横向 mosfet 器件 集成电路 | ||
【主权项】：
一种SOI横向MOSFET器件，其自下而上依次层叠有衬底层、介质埋层和有源层，其特征在于，所述有源层包括：分别位于所述有源层的表面并且相互分离的体区和漏区，以及位于所述体区的表面并且从靠近所述漏区的一侧起按顺序设置的平面栅沟道区、第一源区、体接触区和第二源区；位于所述体区和所述漏区之间的所述有源层为漂移区，所述漂移区和所述体区的导电类型相反；所述有源层在其表面以下设置有半导体埋层，所述半导体埋层和所述体区的导电类型相同；所述器件具有槽栅结构和平面栅结构，所述槽栅结构与所述体区接触，并且从所述有源层的表面纵向延伸至所述介质埋层，所述平面栅结构形成于所述体区的上方，所述槽栅结构由槽栅介质及其包围的导电材料构成，所述平面栅结构由平面栅介质及其上面的导电材料构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110003586.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
