[发明专利]硅锗异质结双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110002764.0 | 申请日： | 2011-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102593165A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 孙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，所述硅锗异质结双极晶体管包括：基极、位于基极上的发射极以及位于基极和发射极交界面处的异质结，所述基极为掺入锗的硅，所述锗的掺入浓度随着深度增加依次包括：掺入浓度上升区、掺入浓度平台区、掺入浓度下降区，其中，所述掺入浓度上升区随着深度增加依次包括掺入浓度增加平缓区、掺入浓度增加快速区，其中，异质结位于掺入浓度增加平缓区。对于不同尺寸的发射极窗口，本发明的硅锗异质结双极晶体管的电流增益的变化较小。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种硅锗异质结双极晶体管，包括基极、位于基极上的发射极以及位于基极和发射极交界面处的异质结，所述基极为掺入锗的硅，其特征在于，所述锗的掺入浓度随着深度增加依次包括：掺入浓度上升区、掺入浓度平台区、掺入浓度下降区，其中，所述掺入浓度上升区随着深度增加依次包括掺入浓度增加平缓区、掺入浓度增加快速区，其中，异质结位于掺入浓度增加平缓区。
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