[发明专利]一种采用羰基钨为前驱体制备用于聚变堆中面向等离子体钨涂层的方法

摘要

本发明提供了一种采用羰基钨为前驱体利用等离子增强的金属有机化学气相沉积的方法制备用于聚变堆中面向等离子体钨涂层的方法，沉积反应时，反应器夹壁始终通冷却水冷却且压力恒定在150-250Pa，基座温度控制在200-600℃。通入纯度为99.9％的羰基钨饱和蒸气，气流量控制在1.0-3.0ml/s，温度范围为70-140℃。沉积时间为5-12h，然后恒定保温3-6h进行热扩散退火。本发明方法可制备出与基体结合强度高的钨涂层，涂层厚度小于5mm且该涂层具有孔隙率低、纯度高、表面光滑等特点。该方法工艺相对简单、可靠性高并可制备出大面积的钨涂层，广泛应用到聚变堆实验装置及将来的聚变反应堆的第一壁上。

主权项

一种采用羰基钨为前驱体制备用于聚变堆中面向等离子体钨涂层的方法，其特征在于：在铜合金表面或低活化钢表面使用羰基钨为前驱体，利用等离子增强的金属有机化学气相沉积方法制备钨涂层，其中铜合金和低活化钢为热沉材料，钨涂层为面向等离子体材料。