[发明专利]阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201110001068.8 | 申请日： | 2011-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102130158A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张进成;付小凡;郝跃;马晓华;王冲;陈珂;奚鹏程;解露;李亮;薛晓咏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极(6)，中间为栅极(7)，主势垒层(4)上设有n个辅沟道层与辅势垒层组成的交替循环异质结构，n的取值为1～3；最顶层辅势垒层与主势垒层(4)之间设有凹槽(9)，该凹槽靠近漏极一侧的凹槽壁呈阶梯型；栅极(7)位于凹槽(9)中，且栅极与凹槽之间设有介质层(8)。本发明提高了击穿电压、降低了源漏极欧姆接触电阻，且工艺简单，可用作高温高频高可靠大功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 凹槽 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管HEMT，自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极(6)，中间为栅极(7)，其特征在于：主势垒层(4)上设有n个辅沟道层与辅势垒层组成的交替循环异质结构，n的取值为1～3；最顶层辅势垒层与主势垒层(4)之间设有凹槽(9)，该凹槽靠近漏极一侧的凹槽壁呈阶梯型；栅极(7)位于凹槽(9)中，且栅极与凹槽之间设有介质层(8)。
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