[发明专利]MOSFET开关栅极驱动器、MOSFET开关系统和方法无效
| 申请号： | 201080070842.4 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103262415A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | R.多明戈;M.贝马特 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H03K17/56 | 分类号： | H03K17/56;H02M1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;王洪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 栅极驱动器（100）、高侧MOSFET开关系统（200）和对MOSEFT进行脉冲驱动开关的方法（300）采用密勒电容阈值。栅极驱动器（100）包括用以向MOSFET（102）的栅极提供第一电压达第一时间段的栅极放电部分（110）。第一电压小于MOSFET的接通阈值电压。栅极驱动器还包括用以向MOSFET栅极提供第二电压达第二时间段的栅极充电部分（120）。第二电压大于MOSFET接通阈值电压。第二时间段小于用于MOSFET的栅极-源极电压超过密勒电容阈值的时间段。MOSFET的脉冲驱动开关的方法（300）包括施加（310）第一电压并施加（320）第二电压。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 开关 栅极 驱动器 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于MOSFET开关的栅极驱动器（100），包括：栅极放电部分（110），向MOSFET（102）的栅极提供第一电压达第一时间段，第一电压小于MOSFET（102）的接通阈值电压；以及栅极充电部分（120），向MOSFET栅极提供第二电压达第二时间段，第二电压大于MOSFET接通阈值电压，第二时间段小于用于MOSFET（102）的栅极‑源极电压超过密勒电容阈值的时间段。
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