[发明专利]纳米级开关器件有效
| 申请号： | 201080070196.1 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN103201837A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | G.里贝罗;J.H.尼克尔;J.杨 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘金凤;王洪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种纳米级开关器件(400)包括：具有纳米级宽度的第一电极(102)；具有纳米级宽度的第二电极(108)；被置于所述第一和第二电极之间的有源区(106)，所述有源区包含开关材料；所述有源区5内的区域(402)，其将所述第一电极与所述第二电极之间的电流流动约束到所述有源区的中心部分；以及层间介电层(110)，其由介电材料形成并且被置于所述有源区之外在所述第一和第二电极之间。还公开了一种纳米级交叉阵列(900)和形成所述纳米级开关器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 开关 器件 | ||
【主权项】：
一种纳米级开关器件(400)，包括：具有纳米级宽度的第一电极(102)；具有纳米级宽度的第二电极(108)；被置于所述第一和第二电极之间的有源区(106)，所述有源区包含开关材料；所述有源区内的区域(402)，其将所述第一电极与所述第二电极之间的电流约束到所述有源区的中心部分；以及层间介电层(110)，其由介电材料形成并且被置于所述有源区之外在所述第一和第二电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
