[发明专利]用于测量晶片堆叠的层厚度和晶格缺陷的测量装置和方法

摘要

本发明涉及用于在分布于晶片堆叠上的多个测量位置处测量和/或检测晶片堆叠的一个或多个层的层厚度和/或晶格缺陷的测量装置以及方法，以及相对应的晶片处理设备。

主权项

用于在研磨晶片堆叠之前在分布于晶片堆叠上的多个测量位置处测量和/或检测临时键合的晶片堆叠的一个或多个层的层厚度和晶格缺陷的方法，具有以下的流程：‑布置测量装置，用于在相对于晶片堆叠的平坦侧的测量位置处测量和/或检测晶片堆叠的层的层厚度和晶格缺陷，‑通过所述测量装置的发送器发出以电磁波或超声波形式的信号并且通过测量装置的接收器接收由晶片堆叠反射的信号，‑通过分析单元分析由所述接收器接收的信号，其中由所述晶片堆叠的层之间的至少两个过渡反射的信号由所述分析单元区别并且获得其关于参考平面（R）的距离，并且其中可检测所述晶片堆叠和/或所述测量装置平行于所述参考平面（R）的运动并且因此可检测沿着所述参考平面（R）的每个测量位置的位置。