[发明专利]用于光电子学的酞菁/聚合物纳米复合墨水有效
| 申请号： | 201080069772.0 | 申请日： | 2010-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103329298B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 许宗祥;华礼生 | 申请（专利权）人： | 香港城市大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/44;H01L51/46;C09B47/12;C09D11/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张福根,吴小瑛 |
| 地址： | 中国香港九龙*** | 国省代码： | 香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一些方面描述酞菁(Pc)分子，其核心具有外围修饰(如烷基取代基)从而Pc可以例如在真空升华下自组装，并且形成尺寸为纳米量级的纳米晶体。可以例如通过简单气相沉积法制备Pc纳米晶体。其它方面描述一种基于聚合物基质中的Pc纳米晶体的聚合物复合墨水，其可以例如在溶液处理方法下形成。例如，聚合物基质可以是与Pc纳米晶体(其是固有p‑型的半导体)不同的p‑型共轭聚合物。这可以增加聚合物复合墨水的成膜能力和电荷输送性质。聚合物复合墨水可以用于制造例如光电器件，例如光伏器件和/或薄膜晶体管。光电器件可以显示高功率转换效率(PCE)，例如6‑7%。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子学 聚合物 纳米 复合 墨水 | ||
【主权项】：
一种用于制造光电器件的方法，其包含以下步骤：由4‑烷基酞腈和二价金属盐的混合物合成酞菁；生长酞菁纳米晶体，其中所述酞菁纳米晶体具有纳米量级的尺寸，其中所述酞菁纳米晶体包含具有烷基取代基的核心，且其中因为核心的外缘修饰在核心中包括烷基取代基，这阻碍核心形成尺寸为大于纳米量级的酞菁纳米晶体，因此酞菁自组装成尺寸为纳米量级的酞菁纳米晶体；和将酞菁纳米晶体与至少一种共轭聚合物结合成薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港城市大学，未经香港城市大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080069772.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
