[发明专利]光电动势装置的制造方法以及光电动势装置的制造装置无效
| 申请号: | 201080066804.1 | 申请日: | 2010-05-17 |
| 公开(公告)号: | CN102893409A | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
| 发明(设计)人: | 桂智毅;西村邦彦;西村慎也;冈本达树;藤川周一 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金光华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 为了高速且高精度地形成逆金字塔状的纹理构造,利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在使用了单晶硅的光电动势装置表面形成防反射纹理时,使用脉冲激光和激光波束分支部件,在成为所期望的金字塔状凹部的底面的正方形的对角线方向上加工多个激光孔,使各正方形之间的激光孔的间距大于所述对角线上的间距。 | ||
| 搜索关键词: | 电动势 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种光电动势装置的制造方法,使用单晶硅基板,利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在光电动势装置表面形成防反射纹理,所述光电动势装置的制造方法的特征在于,包括:第一工序,通过所述激光构图,形成由多个孔构成的激光孔部;以及第二工序,通过湿蚀刻来形成以所述各孔为基础而具有正方形形状底面、并从所述硅基板表面观看时成为逆金字塔状的与所述孔相同数量的方锥状凹部之后,包括与所述孔相同数量的所有方锥状凹部,形成与该方锥状凹部的正方形形状底面的多个方锥状凹部的数量大致相同数量倍的尺寸的方锥状凹部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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