[发明专利]光电动势装置的制造方法以及光电动势装置的制造装置无效

专利信息
申请号: 201080066804.1 申请日: 2010-05-17
公开(公告)号: CN102893409A 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: 桂智毅;西村邦彦;西村慎也;冈本达树;藤川周一 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金光华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 为了高速且高精度地形成逆金字塔状的纹理构造,利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在使用了单晶硅的光电动势装置表面形成防反射纹理时,使用脉冲激光和激光波束分支部件,在成为所期望的金字塔状凹部的底面的正方形的对角线方向上加工多个激光孔,使各正方形之间的激光孔的间距大于所述对角线上的间距。
搜索关键词: 电动势 装置 制造 方法 以及
【主权项】:
一种光电动势装置的制造方法,使用单晶硅基板,利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在光电动势装置表面形成防反射纹理,所述光电动势装置的制造方法的特征在于,包括:第一工序,通过所述激光构图,形成由多个孔构成的激光孔部;以及第二工序,通过湿蚀刻来形成以所述各孔为基础而具有正方形形状底面、并从所述硅基板表面观看时成为逆金字塔状的与所述孔相同数量的方锥状凹部之后,包括与所述孔相同数量的所有方锥状凹部,形成与该方锥状凹部的正方形形状底面的多个方锥状凹部的数量大致相同数量倍的尺寸的方锥状凹部。
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