[发明专利]双向开关元件及使用该双向开关元件的双向开关电路无效
| 申请号： | 201080065680.5 | 申请日： | 2010-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102822982A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 森田竜夫;上田大助;上本康裕;上田哲三 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L21/338;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种双向开关元件及使用该双向开关元件的双向开关电路。双向开关元件具备：由氮化物半导体构成的半导体层叠层体(203)、形成在半导体层叠层体(203)之上的第一欧姆电极(211)以及第二欧姆电极(212)、第一栅电极(217)以及第二栅电极(218)。第一栅电极(217)被电位与第一欧姆电极(211)实质相等的第一屏蔽电极(221)覆盖。第二栅电极(218)被电位与第二欧姆电极(212)实质相等的第二屏蔽电极(222)覆盖。第一屏蔽电极(221)的端部位于比第一栅电极(217)更靠近第二栅电极(218)侧的位置，第二屏蔽电极(222)的端部位于比第二栅电极(218)更靠近第一栅电极(217)侧的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 开关 元件 使用 开关电路 | ||
【主权项】：
一种双向开关元件，具备：半导体层叠层体，形成在基板之上、且由氮化物半导体构成；第一欧姆电极以及第二欧姆电极，相互隔开间隔地形成在所述半导体层叠层体之上；第一栅电极以及第二栅电极，从所述第一欧姆电极侧起相互隔开间隔地依次形成在所述第一欧姆电极与所述第二欧姆电极之间；第一绝缘层，形成在所述半导体层叠层体之上、且覆盖所述第一栅电极以及第二栅电极；第一屏蔽电极，形成在所述第一绝缘层之上、电位与所述第一欧姆电极相等且覆盖在所述第一栅电极之上；和第二屏蔽电极，形成在所述第一绝缘层之上、电位与所述第二欧姆电极相等且覆盖在所述第二栅电极之上，所述第一屏蔽电极的端部位于比所述第一栅电极更靠近所述第二栅电极侧的位置，所述第二屏蔽电极的端部位于比所述第二栅电极更靠近所述第一栅电极侧的位置。
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