[发明专利]来自低维度金属体系的复合材料的高电介质电容率材料有效
| 申请号： | 201080064465.3 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102782784A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈胜伟 | 申请（专利权）人： | 英派尔科技开发有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/08 | 分类号： | H01G4/08;C01B39/02;B82B3/00;H01G4/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 金属纳米粒子以断续的金属股线或具有特征尺度和取向的其他结构的形式组装以通过改变的GE效应产生巨大电介质响应。主体材料和合成的小心选择和修饰也导致低电介质击穿电压。此外，高电介质复合材料被应用于更可升级用于工业和消费应用的材料构造中。 | ||
| 搜索关键词： | 来自 维度 金属 体系 复合材料 电介质 电容 材料 | ||
【主权项】：
一种制备高电介质电容率复合材料的方法，所述方法包括：选择具有纳米或微米尺度孔或中孔通道的主体材料；在所述主体材料通道中合成导电材料以形成断续的股线；以及填充所述主体材料中未填充有所述导电材料的孔。
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