[发明专利]制造半导体层的方法和装置

摘要

本发明涉及一种制造半导体层的方法和装置。目的在于，提高层组分的离析速率，并显著改善所生成的太阳能电池的效率。同时，应当降低材料费用。由此实现了该目的，即，在真空室中，金属蒸发源释放铜、铟和/或镓，这些金属作为金属蒸汽射线聚焦在基底上，并且由硫族低能量宽放射离子源使硒和/或硫离子化溢出，并使该射线这样聚焦于基底表面，从而使它与金属蒸汽射线重叠。还描述了实施该方法的装置。

主权项

一种制造作为薄层太阳能电池的吸收层的Cu(In,Ga)(Se,S)2半导体层的方法，通过在载有反接触层的基底上离析出铜、铟、镓、硒和硫来实现，其特征在于，在涂层室中，在基底上这样来构建吸收层，即，首先生成1×10‑6和1×10‑4mbar之间的真空,将基底加热至200至600℃的温度；在金属蒸发源（1）中蒸发铜、铟和/或镓或者其硫族化合物，金属蒸汽射线在基底上这样进行聚焦，即，使金属蒸汽射线冲击基底表面；硒和/或硫由硫族低能量宽放射离子源离子化溢出，并使射线这样聚焦在基底表面而发生冲击，即，使硒和/或硫射线与金属蒸汽射线相重叠；除了硫族离子，还由低能量宽放射离子源（2）提取出电子，这些电子在涂层室中的分布同样与金属蒸汽射线相重叠，并且同样导致离子化和/或激化；其中，由于通过硫族离子射线引入的能量导致离析出所希望的吸收层。