[发明专利]碳/隧穿-势垒/碳二极管有效
| 申请号： | 201080063987.1 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102870246A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | A.班德约帕德亚伊;F.克鲁普尔;A.米尼亚;肖立 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了碳/隧穿-势垒/碳二极管和其形成方法。可以使用碳/隧穿-势垒/碳作为存储器阵列中的操纵元件。存储器阵列中的每个存储器单元可以包括可逆电阻率-切换元件和作为操纵元件的碳/隧穿-势垒/碳二极管。隧穿-势垒可以包括半导体或绝缘体。因此，该二极管可以是碳/半导体/碳二极管。二极管中的半导体可以是本征或掺杂的。当该二极管处于均衡状况下时，该半导体可以被耗尽。例如，该半导体可以被高度掺杂，以便耗尽区从半导体区域的一端延伸到另一端。该二极管可以是碳/绝缘体/碳二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒 二极管 | ||
【主权项】：
一种二极管，包括：第一区，主要包括元素碳(242)；第二区，主要包括元素碳(246)；以及第三区，包括提供第一区和第二区之间的隧穿‑势垒的至少一种材料(244)。
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