[发明专利]采用高介电常数材料降低MRI射频单位吸收率及提高其信噪比的方法有效

专利信息
申请号: 201080063007.8 申请日: 2010-12-02
公开(公告)号: CN102792189A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 庆·X·杨 申请(专利权)人: 上海联影医疗科技有限公司
主分类号: G01V3/00 分类号: G01V3/00
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 黄晓明
地址: 201815 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 将多个层状或套状的高介电常数及低电导率材料插入射频线圈、或线圈的导电物体与样本之间,实现提高信噪比,改善图像对比度,并降低磁共振成像设备或磁共振波谱仪在人体内导致的射频单位吸收率(SAR)。本发明的较佳实施例可以用作现成射频线圈的辅助设备或者直接做到射频线圈之中以改善射频线圈在发射和接收方面的性能。
搜索关键词: 采用 介电常数 材料 降低 mri 射频 单位 吸收率 提高 方法
【主权项】:
一种磁共振成像中提高信噪比、有效调整射频场分布及降低射频单位吸收率的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:在磁共振成像设备的射频线圈及将利用磁共振成像设备进行成像的组织之间设置高介电常数垫(HDC垫),所述HDC垫是一种包含高介电常数材料的垫,所述高介电常数材料是水、或者重水、或者其它化学成分、或者复合材料,所述复合材料是液体、或者混合物、或者胶状、或者悬浮液或者玻璃粉,所述HDC垫的介电常数值高于所述组织;及利用磁共振成像设备对所述组织进行成像。
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