[发明专利]基本上二维的结构元件有效
| 申请号： | 201080062059.3 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102714246A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | N·皮尼;D·勒波里 | 申请（专利权）人： | 能源设计股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈季壮 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 在两个维度上延伸的结构元件(29)包括：还沿着结构元件(29)的一个表面延伸且界定所述表面的太阳能转化器元件(1)。结构元件(29)进一步包括沿着结构元件(29)延伸且确定它的第二表面的建筑物结构元件(30)。至少一部分太阳能转化器元件(1)与至少一部分建筑物结构元件(30)一体，于是这一一体部件均有助于太阳能转化要求以及结构要求。 | ||
| 搜索关键词： | 基本上 二维 结构 元件 | ||
【主权项】：
用于建筑的基本上二维的结构元件，它包括：·沿着所述结构元件的一个表面延伸且界定所述表面并提供太阳能转化的太阳能转化器元件；·沿着所述结构元件的第二表面延伸且界定所述表面并提供建筑要求的建筑物结构元件，其特征在于所述转化器元件的至少一部分与所述结构元件的至少一部分成一体，且所述所得一体部分均有助于所述太阳能转化和所述结构要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
