[发明专利]β伏打设备及方法有效
| 申请号： | 201080061778.3 | 申请日： | 2010-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103109325A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 阿密特·拉尔;史蒂文·田 | 申请（专利权）人： | 康奈尔大学 |
| 主分类号： | G21H1/00 | 分类号： | G21H1/00 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 戈晓美;张一军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 示例性的削薄的β伏打器件，包括：厚度在约3到50微米之间的N+掺杂的碳化硅(SiC)基质；紧邻所述SiC基质的底部表面布置的导电层；紧邻所述SiC基质的顶部表面布置的N-掺杂的SiC外延层；紧邻所述N-掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的P+掺杂的SiC外延层；紧邻所述P+掺杂的SiC外延层的顶部表面布置的欧姆导电层；以及紧邻所述欧姆导电层的顶部表面布置的放射性同位素层。所述放射性同位素层可以是63Ni、147Pm或3H。该器件可以并联或串联地堆叠。还公开了制造所述器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种β伏打器件，包括：N+掺杂的半导体基质，该半导体基质具有顶部表面和底部表面，在顶部表面与底部表面之间的厚度为tN+，其中tN+等于或小于100微米(μm)；紧邻所述基质的底部表面布置的导电层；紧邻所述基质的顶部表面布置的、具有顶部表面的N‑掺杂的外延层；紧邻所述N‑掺杂的外延层的顶部表面布置的、具有顶部表面的P+掺杂的外延层；紧邻所述P+掺杂的外延层的顶部表面布置的、具有顶部表面的欧姆导电层；以及紧邻所述欧姆导电层的顶部表面布置的放射性同位素层。
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