[发明专利]具有不同铂成分的硅化镍的形成方法有效
| 申请号： | 201080060532.4 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102714159A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | A.弗赖伊;A.西蒙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 赵国荣 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种形成硅化镍的方法。所述方法可包括：通过物理气相沉积（PVD）工艺，在场效应晶体管（FET）（100）的栅极、源极和漏极区域的至少之一上沉积第一金属层（105）和第二金属层（106），其中所述第一金属层（105）采用包含铂（Pt）的第一镍靶材沉积，而所述第二金属层（106）采用第二镍靶材沉积在所述第一金属层上，所述第二镍靶材不包含铂或者包含少于所述第一镍靶材的铂；以及将覆盖所述FET的所述第一金属层和所述第二金属层退火，以在所述栅极、源极和漏极区域的顶表面处形成包含铂的硅化镍层（107）。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 成分 硅化镍 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：通过物理气相沉积（PVD）工艺，在场效应晶体管（FET）（100）的栅极、源极和漏极区域的至少之一上沉积第一金属层（105）和第二金属层（106），其中所述第一金属层（105）采用包含铂（Pt）的第一镍靶材沉积，而所述第二金属层（106）采用第二镍靶材沉积在所述第一金属层上，所述第二镍靶材不包含铂或者包含少于所述第一镍靶材的铂；以及将覆盖所述FET的所述第一金属层和所述第二金属层退火，以在所述栅极、源极和漏极区域的顶表面处形成包含铂的硅化镍层（107）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
