[发明专利]电阻变化型元件及其制造方法无效
申请号: | 201080057285.2 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102696107A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 二宫健生;川岛良男;早川幸夫;三河巧 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;C23C14/08;C23C14/34;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本,*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在以M为一种过渡金属元素、以O为氧时,包括:下部电极;第一氧化物层,其在上述下部电极上形成,在令O相对于M的组成比为x时由MOx构成;第二氧化物层,其在上述第一氧化物层上形成,在令O相对于M的组成比为y时由MOy构成;在上述第二氧化物层上形成的上部电极;保护层,其在上述上部电极上形成,由具有与上述上部电极不同的组成的导电性材料构成;以覆盖上述保护层的方式形成的层间绝缘层;和在贯通上述层间绝缘层的上部接触孔内形成的上部接触栓。 | ||
搜索关键词: | 电阻 变化 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电阻变化型元件,其特征在于:在以M为一种过渡金属元素、以O为氧时,包括:下部电极;第一氧化物层,其在所述下部电极上形成,在令O相对于M的组成比为x时由MOx构成,其中,x为正数;第二氧化物层,其在所述第一氧化物层上形成,在令O相对于M的组成比为y时由MOy构成,其中,y>x;在所述第二氧化物层上形成的上部电极;保护层,其在所述上部电极上形成,由具有与所述上部电极不同的组成的导电性材料构成;以覆盖所述保护层的方式形成的层间绝缘层;和在贯通所述层间绝缘层的上部接触孔内形成的上部接触栓,其中所述上部电极具有向所述第二氧化物层突出且不贯通所述第二氧化物层的多个微小突起,所述上部接触栓,与所述上部电极物理上不接触,而与所述保护层物理上接触,由此与所述上部电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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