[发明专利]太阳能电池用多晶硅及其制造方法无效
| 申请号： | 201080056506.4 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102712481A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 佐藤贤次 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社;东邦钛株式会社;JNC株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;B22C3/00;B22D25/04 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 张淑珍;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用以制造切实排除由Fe引起的表层载流子寿命较短区域的多晶硅的方法。本发明的多晶硅的制造方法包括在铸模上均匀地涂布在氮化硅粉末中混合粘合剂和溶剂而制成的脱模剂，在该铸模内使熔融硅凝固，其特征在于：将氮化硅粉末中含有的视为杂质的Fe浓度设为x（原子ppm），将涂布于铸模的脱模剂的厚度设为y（μm），满足x≦5.0、20≦y≦100以及x×y≦100。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 多晶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅的制造方法，所述制造方法包括在铸模上涂布在氮化硅粉末中混合粘合剂和溶剂而制成的脱模剂，在所述铸模内使熔融硅凝固，其特征在于：将所述氮化硅粉末中作为杂质含有的Fe浓度设为x（原子ppm），将涂布于所述铸模的脱模剂的厚度设为y（μm），满足x≦5.0、20≦y≦100以及x×y≦100。
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